Spl dp 90_3

Spl dp 90_3

Lazè diodes chip enfrawouj

Dekri teren

Nanostack enpilsyon lazè dyòd.

 

Aplikasyon

- 3 D kèk

- Eksteryè kèk pou ADAS & AD

- Robotik

 

Karakteristik

- Kalifikasyon: plan tès kalifikasyon pwodwi a baze sou direktiv AEC-Q102, echèk mekanis ki baze sou kalifikasyon tès estrès pou semi-conducteurs opto-elektwonik disrè nan aplikasyon otomobil.

- ESD: 2 kV acc. nan ANSI\/ESDA\/JEDEC JS -001 (HBM, klas 2)

- Serye materyèl ingaas\/gaaS - segondè efikasite

- Lajè etwat emisyon ak gwosè chip

- 3 vètikal nanoStacked Emitters

 

Pwodwi atribi Valè atribi
Manifakti: Ams Osram
Kategori pwodwi: Diodes lazè
Rohs: Detay
Koulè: Enfrawouj
VF - Forward Voltage: 9 V
Tanperati opere minimòm: - 40 C
Tanperati opere maksimòm: + 105 C
Pake \/ Ka: Ki pa estanda
Seri: Spl dp 90_3
Anbalaj: Grandè
Mak: Ams Osram
Kalite pwodwi: Diodes lazè
Kalifikasyon: AEC-Q101
Kantite pake faktori: 2000
Subkategori: Lazer
TradeName: Chip lazè
Pati # alyas: Q65113A0420

Baj popilè: spl dp 90_3, Lachin spl dp 90_3 Konpayi fabrikasyon, founisè, faktori

Ou ka renmen tou

Sak fè makèt